Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

49 73

Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 14.5

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.8 2,066.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 73
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 14.5
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 1736

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM