RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3663
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link