RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2925
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link