RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2417
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link