RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2892
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link