RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
94
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5.6
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.9
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
94
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
5.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
4.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1334
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link