RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
72
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
72
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1918
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link