Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 10.3

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 49

Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.5 2,066.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 10.3
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 1651

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM