RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
49
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2298
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link