RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2361
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link