RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3238
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link