Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.7

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 62

Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.8 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 36
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 15.7
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 3032

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM