Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.1

Среднее значение в тестах

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 62

Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.5 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 23
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 17.1
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2960

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM