RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2443
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link