RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
1,843.6
1,394.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
62
Около -5% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
62
59
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
3,525.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
1,394.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
5300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
361
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB Сравнения RAM
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link