RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
21.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3448
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link