RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
19.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3178
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link