RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3111
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link