RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3072
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link