RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
4170
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link