RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
67
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
67
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2042
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link