RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3208
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link