RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
9.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2017
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link