RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2046
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link