Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 36

Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 15.3

Среднее значение в тестах

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.9 11.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 36
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

11.8 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 21300

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2756 2981

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

модули RAM