Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 50

Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 15.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 10.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 50
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

11.8 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 25600

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2756 2512

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB

Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

модули RAM