RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
19.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
4095
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link