RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
55
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
55
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Mushkin 994083 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link