RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link