RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link