RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
5.8
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link