RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.6
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2026
2995
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link