RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2517
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link