RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link