RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link