RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link