RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link