RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link