RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3826
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link