RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link