RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link