RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology 11137401 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology 11137401 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link