RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2517
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link