RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link