RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link