RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link