RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3100
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link