RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4084
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link