RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link