RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link